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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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區域提純后的金屬鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 ?厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。
由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，香檳金靶材，然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，香檳金靶材廠家，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數值。
濺射靶材的要求較傳統材料行業高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式，就是用電子系統把電子發射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，香檳金靶材價格，陶瓷化合物等。
熱壓法：ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，以 100kgf/cm 2～1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓，香檳金靶材報價，同時以1000℃～1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結溫度較低，燒結時間較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻，從而影響了生產ITO薄膜的均勻性，且不能生產大尺寸的靶。
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第9年
